|
پيشرفت در نانوالکترونيک مبتني بر نانولولهها |
 |
 |
 |
|
نوشته شده توسط Administrator
|
|
يكشنبه ۲۹ شهریور ۱۳۸۸ ساعت ۱۴:۴۸ |
| محققان کره جنوبي در دانشگاه ملي سئول، با کنترل اتصال شبکههاي نانولولههاي کربني يک راهبرد قدرتمند براي حل مشکلات اساسي نانوالکترونيک مبتني بر نانولولهها، توسعه دادهاند. آنها براي ايجاد فيلمهاي شبکهاي نانولولهاي متشکل از نانولولههاي همراستا؛ از روش "آرايش برنامهريزيشده- سطحي" استفاده کردهاند. |
 |
| شمايي از روش ساخت ترانزيستورهاي مبتني بر کانالهاي شبکهاي نانولولههاي کربني تکجدارهي تصادفي و بافتهشده. |
در حال حاظر در تعداد زيادي از روشهاي ساخت افزارههاي نانوالکترونيک مبتني بر نانولولهها، از فيلمهاي شبکهاي نانولوله کربني متشکل از چندين نوع نانولوله کربني استفاده ميشود. مشکل اصلي در اين زمينه اين است که خواص هدايت الکتريکي فيلمهاي شبکهاي نانولولهاي معمولاً خيلي کم است. براي مثال تحرک فيلمهاي شبکهاي نانولولههايي با جهت تصادفي، معمولاًحدود5cm2/Vs است که خيلي کمتر از تحرک سيليکون و در واقع مشابه تحرک رساناهاي آلي است.
بعلاوه اين فيلمها متشکل از نانولولههاي نيمهرسانا و فلزي هستند، بنابراين ترانزيستورهاي مبتني بر اين فيلمهاي شبکهاي خاموش نميشوند و اين ميتواند برا ي کاربردهاي مدار مجتمع مشکلزا باشد.
اين محققان براي حل اين مشکلات اساسي، از شبکهي نانولولههاي همراستا استفاده کردهاند. سونگهان هانگ، يکي از اين محققان گفت: ما متوجه شديم که ميتوانيم با همراستا کردن نانولولهها در اين فيلمهاي شبکهاي که به طور مؤثري ارتباط سري آنها را بهبود ميدهد، رفتار ترانزيستوري و تحرک الکتروني آنها را بهبود دهيم. براي مثال ما ميتوانيم با همراستاکردن نانولولهها در کانالهايي به پهناي 100 نانومتر، تحرک الکتروني را به 180cm2/Vs برسانيم.
هانگ ادامه داد: ما با استفاده از اين راهبرد و بدون حذف نانولولههاي تکجداره، راندمان ترانزيستورهاي اثر ميداني مبتني بر شبکهي نانولوله تکجداره با نسبت خاموش- روشن بالا، را به شدت افزايش داديم. ما توانستيم با کانالهاي شبکهاي بافتهشده ترانزيستورهاي اثر ميداني با راندمان بالاي 88% (با حفظ سطح بالاي جريان) بسازيم.
نتايج اين تحقيق در مجلهي Small منتشر شده است. |
|
